Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.

Steckbrief:

Name des Vorhabens:

Werkstoff-/Technologiebasis für SiC-Halbleiter-Herstellung und -Verarbeitung zur Stärkung Sachsens Leistungselektronikbranche (SaxCrystalPower-FuE)

Zeitraum:

15.05.2024 – 31.08.2027

Förderfähige Gesamtkosten:

102.467 €

EU-Betrag:

61.480 €

Ort:

Dresden

Interventions­kategorie:

012 - Forschungs- und Innovationstätigkeiten, darunter auch Vernetzung, in öffentlichen Forschungszentren, Hochschuleinrichtungen und Kompetenzzentren (industrielle Forschung, experimentelle Entwicklung, Durchführbarkeitsstudien)

Förderrichtlinie:

02415 - EFRE/JTF RL Forschung InfraProNet 2021-2027 – Teil EFRE

Fördergegenstand:

2229 - Forschungsprojekte, anwendungsnahe

Spezifisches Ziel:

RSO1.1 - Entwicklung und Ausbau der Forschungs- und Innovationskapazitäten und der Einführung fortschrittlicher Technologien

Zweck und Errungenschaft:

SaxCrystalPower-FuE konzentriert sich auf die Synthese von Siliciumcarbid (SiC) als Basiswerkstoff für die Leistungselektronik, welche deutlich komplexer im Vergleich zu der seit Jahrzehnten genutzten Si-Einkristall-Synthese ist. Auf Grund der notwendigen erhöhten Prozesstemperaturen treten gegenüber den etablierten Si-Prozessen vermehrt Defekte auf. In diesem Projekt soll die kristallografische Charakterisierung der hergestellten SiC-Einkristalle erfolgen.

Fonds:

EFRE